トランジスタとは役割は何ですか？

トランジスタは半導体ダイオードとも呼ばれ、電子回路の中で最も重要なデバイスと言われています。その主な機能は、電流増幅とスイッチング、発振です。トランジスタは、半導体材料で作られた2つのPN接合で作られています。チューブ内部の3つのゾーン（発光領域、ベース領域、コレクタ領域）に接続されています。トランジスタにはNPNとPNPの2種類があり、トランジスタの構造と回路記号は図のようになっています。それは３つの半導体から成り、２つのＰＮ接合、すなわちコレクタ接合とエミッタ接合、そして合計３つの電極、コレクタからなることが図に示されている。トランジスタの動作電流は、コレクタ電流Ｉｃ、ベース電流ＩＢ、エミッタ電流Ｉｅを有する。回路記号内のエミッタ矢印の方向は、電流の流れる方向を示します。IBは小さいため（無視できる）、次にIc IEです。

図6-1bは、PNPトランジスタとは異なるNPN型トランジスタの内部構造と図記号を示しています。

P型N半導体の位置が異なり、他は基本的に同じです。電流の方向はエミッタから外れ、ベース電流とコレクタ電流はすべてトランジスタから流れます。これはNPN型トランジスタ回路のシンボルのエミッタの矢印の方向から見ることができます。

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3.トランジスタの特性は何ですか？

（1）電流増幅の原理

（1）バイアス要件。トランジスタは、コレクタ接合の逆バイアス、数ボルトから数百ボルトの電圧値、ポジティブエミッション接合、０．６〜０．７Ｖのシリコントランジスタ、０．２〜０．３Ｖのゲルマニウムトランジスタの通常の動作条件を必要とする。また、Ｅ＜Ｂ（シリコンチューブ：０．６〜０．７Ｖ、ゲルマニウムチューブ：０．２〜０．３Ｖ）Ｂ（シリコンチューブ：０．６〜０．７Ｖ、ゲルマニウムチューブ）０．２〜０．３Ｖ）＞Ｃ用のＮＰＮ型トランジスタである。極電圧、トランジスタは正しくオンにすることができます。電流増幅の原理を図6-2に示します。これは、電流増幅の概略図です。 WはVT1にベース電流を発生させます。ＩＢ、コレクタ電流ＩｃおよびＲｃによって供給されるＩｃがある。電源のＷが変化すると、それに応じてＶＴＩのベース電流も変化し、それに対応してコレクタ電流も変化する。 Icにわずかな変化がある限り、IBは大きく変化する可能性があります。ｗ変化が送信の信号と見なされる場合、Ｉｃの変化則はＩＢによって制御され、Ｉｃ＞ＩＢであるので、ＶＴ１はＩｃによるトランジスタのベース電流の信号変化を反映し、 VT1が信号を増幅することがわかります。 IBとIcはエミッタに流れ、エミッタ電流IEを形成します。以上のことから、トランジスタはＩＢによって制御されるＩｃの特性を有し、Ｉｃの電流エネルギーは電源によって供給されるので、トランジスタは信号を増幅することができることが分かる。したがって、トランジスタは、電源電流をトランスミッションの信号電流に変換するデバイスであると言えます。トランジスタは、電源の直流電流をトランジスタのコレクタを流れる信号電流に変換する。ＰＮＰトランジスタは、ＮＰＮタイプと同じように動作するが、電流の方向は反対であり、すなわちエミッタ電流電流Ｆ baseおよびcollectorである。極電流とトランジスタの電圧の関係上記の増幅原理から、極性電流の間の関係はＩｅ＝Ｉｃ＋ＩＢであり、ＩＢは無視できること、すなわちＩｐＩｃはＩＢ極性電圧上のＩｅ極性電圧と同じであること、すなわちＵＢとUE、IBとIcは反対ですが、UBとUcです。